半導體
Intel 14A 製程加速：高數值孔徑 EUV 微影設備預計 2027 年正式啟用
此台高數值孔徑極紫外光微影設備是由 ASML 供應，並且將在 Intel 下一世代處理器產品扮演關鍵角色！
本文來自 Mashdigi，INSIDE 經授權轉載。
Intel 宣布於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地中，已由研發人員完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝，預計在多項校準工作完成後，計畫於 2027 年正式啟用，並且將用於 Intel 18A 之後的 Intel 14A 製程產品。
此台高數值孔徑極紫外光微影設備是由 ASML 供應，並且將在下一世代處理器產品扮演關鍵角色，而 Intel 也將以此設備佈署更進一步的製程技術，並且有助於 Intel 18A 之後製程技術推進。
ASML 近日宣布，位於荷蘭費爾德霍芬總部的高數值孔徑實驗室首次列印出 10nm 的高密度線路，創下 EUV 微影設備解析度的世界紀錄，成為 EUV 微影設備迄今為止列印出最精細的線路，而此項突破也讓 ASML 的合作夥伴蔡司（ZEISS）在 High NA EUV 微影設備上的創新光學設計獲得驗證。
而當 High NA UEV 微影設備與 Intel 晶圓代工服務的其他製程技術結合時，列印尺寸預計將比現有 EUV 機台縮小 1.7 倍。由於 2D 尺寸縮小，密度將提高 2.9 倍，Intel 將以此持續發展更小、更密集的圖像化（pattterning）技術，進一步延伸摩爾定律。
相較於 0.33 數值孔徑的 EUV 微影設備，高數值孔徑 EUV 微影設備（或 0.55 數值孔徑的 EUV 微影設備）可為類似的晶片尺寸提供更高成像對比度，並且減少每次曝光所需的進光量，進而縮短每層列印時間，藉此提高晶圓廠的產能。
Intel 計劃於 2025 年的 Intel 18A 產品驗證，以及未來的 Intel 14A 量產階段採用 0.33 與 0.55 數值孔徑的 EUV 微影設備，並且結合其他先進的微影製程技術，共同推進先進晶片的開發和製造，藉此改善其先進製程技術成本與效能。
在此之前，Intel 已經預告 Intel 18A 製程技術將於今年第二季投入量產，預計將用於代號「Lunar Lake」的下一代 Core Ultra 筆電處理器，同時也將用於協助代工生產以 Arm 新款架構設計的處理器。
責任編輯：Sisley
核稿編輯：Mia
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